买卖IC网 >> 产品目录 >> SI4982DY-T1-GE3 MOSFET 100V 2.6A 2.0W 150mohm @ 10V datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI4982DY-T1-GE3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 100V 2.6A 2.0W 150mohm @ 10V
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 100V 2.6A 2.0W 150mohm @ 10V
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 100 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 2.6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 150 mOhms
配置 Dual
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOIC-8 Narrow
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI4982DY-T1-GE3
SI4992EY-T1-E3
SI4992EY-T1-GE3
SI-5003X
SI500DCAC192M000ACF
Si5010-B-GM
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  • SI4982DY-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价